SH367309芯片介绍（2）

一、芯片介绍

        SH367309是锂电池BMS用数字前端芯片，适用于总电压不超过70V的锂电池Pack。SH367309工作在保护模式下，可独立保护锂电池Pack。提供过充电保护、过放电保护、温度保护、充放电过流保护、短路保护、二次过充电保护等。集成平衡开关提高电芯一致性。

• SH367309内置VADC，用于采集电芯电压、温度以及电流；
• SH367309内置CADC采集电流，用于统计Pack剩余容量；
• SH367309内置EEPROM，用于保存保护阈值及延时等可调参数；
• SH367309内置TWI通讯接口，用于操作相关寄存器及EEPROM。

  二、SH367309的四种工作模式

  （1）保护模式

          正常工作状态：开启内置保护功能模块，开启平衡功能，关闭看门狗和TWI通讯模块。

          Powerdown 状态：任意节电芯电压低于Powerdown允许电压V PD且持续时间超过Powerdown允许延时T PD，进入Powerdown状态，关闭充放电MOSFET。 连接充电器退出Powerdown状态。

  （2）采集模式

          正常状态：SH367309开启内置保护功能模块，开启TWI通讯模块，MCU可通过TWI通讯模块操作SH367309内部寄存器。

          IDLE状态：关闭VADC、CADC、TWI模块，同时关闭电压和温度相关的保护功能、清零BALANCEH和BALANCEL寄存器、开启STA检测和充放电电流检测模块

          SLEEP 状态：(1) 关闭充放电MOSFET，关闭VADC、CADC、TWI和WDT模块，同时关闭所有保护功能、(2) 清零BALANCEH和BALANCEL寄存器、(3) 开启STA检测、(4) 开启充电器检测

  （3）仓运模式

  • 关闭充放电MOSFET，同时关闭所有功能模块
  • 连接充电器无任何动作
  • 当SH367309处于仓运模式，只有SHIP管脚外接高电平V H-SHIP ，才可退出仓运模式，产生硬件复位。

    （4）烧写模式

            VPRO管脚外接EEPROM烧写电压V PRO ，且延时10mS，SH367309进入烧写模式，关闭充放电MOSFET及内置保护功能模块。此时其他设备可通过TWI接口读/写内置EEPROM，且内置EEPROM仅在烧写模式下方可进行写操作。

    

    SH367309_VPRO_Lo;     //关闭AFE的EEPROM写入功能

    SH367309_SHIP_Lo;  //AFE处于休眠模式    

     

    三、管脚功能

    （1）CTL 管脚：通过SH367309的CTL管脚可控制充放电MOSFET，通过RAM寄存器SCONF2的CTLC[1:0]可设置CTL管脚功能。

    CTL 管脚输入	MOSFET 状态
    高电平 V H-CTL	取决于 SH367309 内部逻辑
    低电平 V L-CTL	关闭相应 MOSFET

    （2）MODE管脚：SH367309 采集模式和保护模式选择端

    MODE管脚输入	SH367309工作模式
    高电平V H-MODE	采集模式
    低电平V L-MODE	保护模式

    （3）ALARM 管脚：SH367309处于采集模式下，ALARM管脚为对外通讯管脚；处于保护模式下，ALARM管脚为高阻态。采集模式下，ALARM管脚正常输出逻辑高电平。出现下表中的系统状态，ALARM管脚输出一个低电平脉冲。